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参数目录43313
> BSZ900N20NS3 G MOSFET N-CH 200V 15.2A 8TSDSON
型号:
BSZ900N20NS3 G
RoHS:
无铅 / 符合
制造商:
Infineon Technologies
描述:
MOSFET N-CH 200V 15.2A 8TSDSON
详细参数
数值
产品分类
分离式半导体产品 >> FET - 单
BSZ900N20NS3 G PDF
标准包装
1
系列
OptiMOS™
FET 型
MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点
标准
漏极至源极电压(Vdss)
200V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
15.2A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C
90 毫欧 @ 7.6A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大)
4V @ 30µA
闸电荷(Qg) @ Vgs
11.6nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds
920pF @ 100V
功率 - 最大
62.5W
安装类型
表面贴装
封装/外壳
8-PowerTDFN
供应商设备封装
PG-TSDSON-8(3.3x3.3)
包装
剪切带 (CT)
其它名称
BSZ900N20NS3GCT
查看BSZ900N20NS3 G代理商
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